9月25日至27日，2024中國集成電路設(shè)計創(chuàng)新大會暨第四屆IC應(yīng)用展（ICDIA-IC Show）和第十一屆汽車電子創(chuàng)新大會（AEIF）暨汽車電子應(yīng)用展在無錫太湖國際博覽中心同期舉辦。紫光國芯（證券代碼：874451）攜多款存儲創(chuàng)新產(chǎn)品和應(yīng)用方案精彩亮相，集中展示其在高性能計算、汽車電子等領(lǐng)域的領(lǐng)先技術(shù)實力和廣泛的市場覆蓋。值得一提的是，紫光國芯自主開發(fā)的高可靠車規(guī)級芯片產(chǎn)品LPDDR4 DRAM（第四代低功耗同步動態(tài)隨機存取存儲器）榮獲了 “汽車電子·金芯獎——新銳產(chǎn)品獎”， 總經(jīng)理、董事江喜平代表公司領(lǐng)獎， 這一榮譽充分證明了紫光國芯在汽車電子領(lǐng)域的創(chuàng)新實力。
此外，紫光國芯多款芯片產(chǎn)品被收錄進《國產(chǎn)車規(guī)芯片可靠性分級目錄（2024）》，進一步突顯了其在推動中國汽車行業(yè)在電動化、智能化和網(wǎng)聯(lián)化方面的貢獻。
高可靠車規(guī)級LPDDR4 DRAM，展現(xiàn)實力
憑借深厚的技術(shù)積累和嚴(yán)格的質(zhì)量控制，紫光國芯可提供從SDR到DDR4/LPDDR4/4x等多種接口的DRAM產(chǎn)品，覆蓋了車規(guī)級、商業(yè)級、工業(yè)級等不同規(guī)格的存儲解決方案。榮獲此次獎項的LPDDR4 DRAM，以其卓越的性能和可靠性滿足了智能網(wǎng)聯(lián)化車載電子系統(tǒng)的高標(biāo)準(zhǔn)要求。
全新一代LPDDR4 DRAM通過全新的高速接口設(shè)計和低功耗設(shè)計，產(chǎn)品速率、功耗、芯片面積等指標(biāo)相較于上一代產(chǎn)品均取得顯著提升。通過完善的可靠性驗證和測試方案，該產(chǎn)品能夠滿足車規(guī)Grade2的要求，工作溫度-40~105℃。目前，該產(chǎn)品已完成研發(fā)驗證和AEC-Q100認證，現(xiàn)已進入量產(chǎn)，為激光雷達、前視一體機、抬頭顯示、液晶儀表、車輛動態(tài)控制系統(tǒng)、駕駛員監(jiān)測系統(tǒng)等汽車電子控制系統(tǒng)提供了理想的存儲器方案選擇。
高品質(zhì)利基型DRAM KGD完整方案閃耀雙會
展會現(xiàn)場，紫光國芯特別展出了其已經(jīng)成功實現(xiàn)量產(chǎn)的新一代DRAM KGD系列產(chǎn)品：超低功耗128Mb PSRAM。該產(chǎn)品采用先進的制程技術(shù)，在進一步優(yōu)化芯片尺寸的同時提升了主要性能指標(biāo)，實現(xiàn)了最高800Mbps數(shù)據(jù)速度表現(xiàn)，達到業(yè)界速度最高，最大可實現(xiàn)12.8Gb/S的大帶寬性能。這一性能飛躍使其在通信、穿戴、人工智能、物聯(lián)網(wǎng)等高端領(lǐng)域展現(xiàn)出巨大的應(yīng)用潛力。作為國內(nèi)領(lǐng)先的專業(yè)DRAM KGD解決方案提供商，紫光國芯可為客戶提供包括PSRAM、Low Power DRAM，standard DRAM在內(nèi)的多種接口和從32Mb到8Gb的多種容量的KGD產(chǎn)品。圍繞市場和客戶的PSRAM需求，紫光國芯即將推出32Mb和64Mb容量的產(chǎn)品，并已規(guī)劃256Mb 容量的產(chǎn)品，備受廣大客戶的期待。
工藝制程挑戰(zhàn)與值得信賴的設(shè)計服務(wù)
在2024 ICDIA 的AI大模型賦能芯片設(shè)計論壇上，紫光國芯副總裁王成偉分享了公司在數(shù)字后端、可測性設(shè)計和模擬設(shè)計等領(lǐng)域在先進工藝芯片開發(fā)中的策略和經(jīng)驗。
他表示在市場競爭和工藝演進的背景下，IC設(shè)計企業(yè)正面臨工藝制程節(jié)點持續(xù)微縮的挑戰(zhàn)，一個能夠解決工藝制程難點和適配市場需求的完整芯片設(shè)計開發(fā)體系就變得尤為重要。為此，紫光國芯采用靈活的商業(yè)模式，提供覆蓋先進工藝全流程一站式的芯片定制開發(fā)和量產(chǎn)服務(wù)解決方案，助力客戶提升產(chǎn)品競爭力。
目前，紫光國芯設(shè)計服務(wù)團隊已服務(wù)近百家家海內(nèi)外客戶，交付了超數(shù)百項服務(wù)成果，這些服務(wù)成果基帶通訊、網(wǎng)絡(luò)處理、消費類、車規(guī)MCU、AR/VR、高帶寬存儲等多個領(lǐng)域。
展出期間，紫光國芯的模組及系統(tǒng)產(chǎn)品解決方案、高性能存儲技術(shù)方案：三維堆疊DRAM技術(shù)和CXL內(nèi)存擴展技術(shù)也一同亮相，受到了與會嘉賓的廣泛關(guān)注。其中，SeDRAM®技術(shù)已演進至第三代，實現(xiàn)了數(shù)十TB的內(nèi)存訪問帶寬和數(shù)十GB的存儲容量，突破了傳統(tǒng)存儲方案的性能瓶頸。同時，覆蓋DDR3到DDR5，包含SO-DIMM、U-DIMM、R-DIMM、NV-IDIMM等多種類型的模組全系產(chǎn)品，也成為與會嘉賓關(guān)注的亮點之一。
作為新紫光集團旗下專注于存儲技術(shù)的產(chǎn)品和服務(wù)提供商，紫光國芯在新紫光集團圍繞智能科技全產(chǎn)業(yè)鏈深度布局的戰(zhàn)略指導(dǎo)下，持續(xù)聚焦市場動態(tài)和客戶需求，加大DRAM、SeDRAM等核心技術(shù)和存儲產(chǎn)品的攻關(guān)，致力于為客戶和行業(yè)發(fā)展不斷創(chuàng)造價值，用科技之光照亮幸福生活。
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