發(fā)布者:網(wǎng)絡(luò)管理員 發(fā)布時(shí)間:2021-07-05 11:04:00 瀏覽次數(shù):

通過對(duì)存儲(chǔ)系統(tǒng)的市場(chǎng)需求以及未來發(fā)展的深入剖析,任總闡釋了當(dāng)前熱門的3D集成技術(shù)在嵌入式存儲(chǔ)器領(lǐng)域的廣泛應(yīng)用,并向與會(huì)嘉賓重點(diǎn)介紹了公司最新研發(fā)世界領(lǐng)先的超大帶寬、超低功耗內(nèi)嵌存儲(chǔ)器解決方案——異質(zhì)嵌入式DRAM(SeDRAM)。
相比傳統(tǒng)的嵌入式SRAM和DRAM存儲(chǔ)器(eSRAM和eDRAM),SeDRAM采用納米級(jí)互連技術(shù)將DRAM晶圓和不同工藝晶圓在垂直方向上互聯(lián),實(shí)現(xiàn)對(duì)存儲(chǔ)器的直接訪問;通過定制的DRAM設(shè)計(jì)支持多種容量(64MB、128MB、256MB到8GB)和多種帶寬;同時(shí)為不同的工藝提供標(biāo)準(zhǔn)化接口和測(cè)試IP,使SoC能夠方便簡(jiǎn)單地集成。

SeDRAM技術(shù)與傳統(tǒng)集成技術(shù)優(yōu)勢(shì)對(duì)比
SeDRAM可實(shí)現(xiàn)超大帶寬、超低功耗、超大容量的嵌入式DRAM,在超算、大數(shù)據(jù)分析、人工智能、智能物聯(lián)網(wǎng)等應(yīng)用領(lǐng)域具有廣闊應(yīng)用前景。同時(shí),基于SeDRAM技術(shù)西安紫光國芯已成功開發(fā)多款產(chǎn)品,并成功實(shí)現(xiàn)世界首款大規(guī)模量產(chǎn)芯片。
相關(guān)技術(shù)論文已在2020 IEDM(IEEE InternationalElectron Device Meeting)和2021 CICC(IEEE CustomIntegrated Circuits Conference)上公開發(fā)表。
IMW(International Memory Workshop)是存儲(chǔ)器領(lǐng)域國際頂級(jí)的研討會(huì)之一,專注于存儲(chǔ)器工藝與設(shè)計(jì)技術(shù)、產(chǎn)業(yè)應(yīng)用、市場(chǎng)需求與市場(chǎng)戰(zhàn)略的研討。IMW由IEEE電子器件協(xié)會(huì)贊助,每年五月舉辦。IMW發(fā)展歷史可追溯到1976年,2008年NVSMW(非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)器研討會(huì))和ICMTD(國際內(nèi)存技術(shù)與設(shè)計(jì)會(huì)議)走向融合,IMW隨即將易失性和非易失性存儲(chǔ)器納入同一論壇,并將研究范圍從非易失性存儲(chǔ)器技術(shù)和設(shè)計(jì)擴(kuò)展到其它存儲(chǔ)器技術(shù)領(lǐng)域。