發(fā)布者:網(wǎng)絡(luò)管理員 發(fā)布時(shí)間:2021-06-09 17:49:00 瀏覽次數(shù):

在本次IEEE-CICC2021發(fā)表的論文中,公司重點(diǎn)介紹了一款基于SeDRAM平臺(tái)的數(shù)據(jù)處理SoC芯片:該芯片充分利用36Gb SeDRAM平臺(tái)的高帶寬(1197GB/s)特性,開(kāi)發(fā)了一款多核SoC。該SoC一共有9個(gè)網(wǎng)絡(luò)節(jié)點(diǎn)(Tile),288個(gè)計(jì)算核,通過(guò)片上網(wǎng)絡(luò)(network-on-chip,NoC)結(jié)構(gòu),每個(gè)核均可獨(dú)立訪(fǎng)問(wèn)128Mb的DRAM 陣列。(晶圓與芯片結(jié)構(gòu),如圖2)。

圖2. SoC晶圓與芯片結(jié)構(gòu)
芯片測(cè)試結(jié)果表明,帶寬較業(yè)內(nèi)廣泛使用的HBM2E提升了近2倍,與使用GDDR6的SoC系統(tǒng)相比,芯片將單位功耗的帶寬提高了13倍,充分證明了多核SoC在SeDRAM平臺(tái)的帶寬和功耗優(yōu)勢(shì)。(如圖3)

圖3. SoC芯片性能
基于上述研發(fā)成果,西安紫光國(guó)芯投稿了IEEE-CICC 2021并順利入選,這是西安紫光國(guó)芯在SoC和DRAM方向技術(shù)持續(xù)積累、堅(jiān)持創(chuàng)新取得的重大突破。感謝武漢新芯和臺(tái)灣力積電分別在邏輯芯片及異質(zhì)集成、存儲(chǔ)器芯片代工的合作支持。
西安紫光國(guó)芯的異質(zhì)集成嵌入式DRAM(SeDRAM)是業(yè)界領(lǐng)先的超大帶寬、超低功耗內(nèi)嵌存儲(chǔ)器解決方案。SeDRAM采用納米級(jí)互連技術(shù)將DRAM晶圓和不同工藝晶圓在垂直方向上互聯(lián),實(shí)現(xiàn)對(duì)存儲(chǔ)器的直接訪(fǎng)問(wèn);通過(guò)定制的DRAM設(shè)計(jì)支持多種容量(64MB、128MB、256MB到8GB)和多種帶寬;同時(shí)為不同的工藝提供標(biāo)準(zhǔn)化接口和測(cè)試IP,使SoC能夠方便簡(jiǎn)單地集成。
依托開(kāi)放式、定制化、平臺(tái)式的合作模式,西安紫光國(guó)芯憑借多年的DRAM開(kāi)發(fā)量產(chǎn)能力和SoC設(shè)計(jì)服務(wù)的能力,將幫助有大帶寬、低功耗、高算力需求的客戶(hù)迅速開(kāi)發(fā)產(chǎn)品并推向市場(chǎng)。
在集成電路芯片設(shè)計(jì)領(lǐng)域,IEEE固態(tài)電路協(xié)會(huì)(Solid-State Circuits Society)主辦的定制集成電路會(huì)議(CICC)是IC設(shè)計(jì)領(lǐng)域頂級(jí)會(huì)議之一,以論文錄用率低、作品創(chuàng)新性和實(shí)用性強(qiáng)著稱(chēng),每年吸引全球范圍內(nèi)大量學(xué)術(shù)界、工業(yè)界研發(fā)人員的關(guān)注和參與。會(huì)議內(nèi)容涉及模擬電路設(shè)計(jì)、生物醫(yī)學(xué)、傳感器、顯示器和MEMS,數(shù)字和混合信號(hào)SoC/ASIC/SIP, 嵌入式存儲(chǔ)器件等方面,重點(diǎn)討論如何解決集成電路設(shè)計(jì)問(wèn)題的方法,以提高芯片各項(xiàng)性能指標(biāo)。